MOSFET Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9713Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI3493DDV-T1-GE3
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

51 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34,8 nC a -8 V

Altura

1mm

Serie

TrenchFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 413

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 491,47

Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 10.325
50$ 20.650
75$ 30.975
100$ 41.300
125$ 51.625
150$ 61.950
175$ 72.275
200$ 82.600
225$ 92.925
250$ 97.250
275$ 106.975
300$ 116.700
325$ 126.425
350$ 136.150
375$ 145.875

$ 413

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 491,47

Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 10.325
50$ 20.650
75$ 30.975
100$ 41.300
125$ 51.625
150$ 61.950
175$ 72.275
200$ 82.600
225$ 92.925
250$ 97.250
275$ 106.975
300$ 116.700
325$ 126.425
350$ 136.150
375$ 145.875

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
25 - 225$ 413$ 10.325
250 - 600$ 389$ 9.725
625 - 1225$ 352$ 8.800
1250 - 2475$ 330$ 8.250
2500+$ 310$ 7.750

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

51 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34,8 nC a -8 V

Altura

1mm

Serie

TrenchFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more