MOSFET Vishay SI3476DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 4,6 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Vishay SI3476DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 4,6 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple
Brand: Vishay
SKU: 1464442
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 146-4442Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI3476DV-T1-GE3

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

4.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

126 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

3.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,9 nC a 10 V

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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$ 225

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 267,75

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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3000

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Vishay

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

4.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

126 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

3.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,9 nC a 10 V

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C