MOSFET Vishay SI3443DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP6 de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 152-6362Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI3443DDV-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOP6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET Vishay SI3443DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP6 de 6 pines, config. Simple
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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
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P

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TSOP6

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Longitud:

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