Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
-1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
-0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
-1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
-0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm