Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 8 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
20
P.O.A.
20
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 8 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto