MOSFET Vishay SI2377EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3145Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2377EDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 8 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 465

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 553,35

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI2377EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 9.300
40$ 18.600
60$ 27.900
80$ 37.200
100$ 46.500
120$ 55.800
140$ 65.100
160$ 74.400
180$ 83.700
200$ 70.800
220$ 77.880
240$ 84.960
260$ 92.040
280$ 99.120
300$ 106.200

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140$ 65.100
160$ 74.400
180$ 83.700
200$ 70.800
220$ 77.880
240$ 84.960
260$ 92.040
280$ 99.120
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 180$ 465$ 9.300
200 - 480$ 354$ 7.080
500 - 980$ 326$ 6.520
1000 - 1980$ 279$ 5.580
2000+$ 241$ 4.820

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

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1

Longitud

3.04mm

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14 nC a 8 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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