MOSFET Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23,8 nC a 8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-50 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23,8 nC a 8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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