MOSFET Vishay SI2365EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23,8 nC a 8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 367
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 436,73
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
$ 367
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 436,73
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | $ 367 | $ 18.350 |
| 500 - 1200 | $ 257 | $ 12.850 |
| 1250 - 2450 | $ 202 | $ 10.100 |
| 2500 - 4950 | $ 183 | $ 9.150 |
| 5000+ | $ 146 | $ 7.300 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23,8 nC a 8 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products