Transistor MOSFET Vishay SI2333DDS-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC a 8 V

Profundidad

1.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm

País de Origen

China