Transistor MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 5.1 A, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V, 9 nC a 2,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
10
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VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V, 9 nC a 2,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
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