MOSFET Vishay SI2309CDS-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 1.2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3250Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2309CDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

345 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Ancho

1.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,7 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 548

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$ 652,12

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 5.480
20$ 10.960
30$ 16.440
40$ 21.920
50$ 27.400
60$ 32.880
70$ 38.360
80$ 43.840
90$ 49.320
100$ 54.800
110$ 60.280
120$ 65.760
130$ 71.240
140$ 76.720
150$ 82.200

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80$ 43.840
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P

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1.2 A

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

345 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

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Si

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