MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
112 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
860 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
112 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
860 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
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