Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
112 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
860 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 465
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 553,35
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
$ 465
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 553,35
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
20 - 180 | $ 465 | $ 9.300 |
200 - 480 | $ 371 | $ 7.420 |
500 - 980 | $ 279 | $ 5.580 |
1000 - 1980 | $ 232 | $ 4.640 |
2000+ | $ 209 | $ 4.180 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
112 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
860 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.02mm
País de Origen
China
Datos del producto