Transistor MOSFET Vishay SI1912EDH-T1-E3, VDSS 20 V, ID 1.13 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos

Código de producto RS: 710-3235Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1912EDH-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

2

Tipo de Canal

N

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Conteo de Pines

6

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Profundidad

1.25mm

Altura

0.9mm

Longitud:

2.05mm

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Brand

Vishay

País de Origen

China

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Profundidad

1.25mm

Altura

0.9mm

Longitud:

2.05mm

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1.13 A

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