Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
400 mA, 700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.48 Ω, 578 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
340 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 117
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 139,23
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
$ 117
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 139,23
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
400 mA, 700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.48 Ω, 578 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
340 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto