MOSFET Vishay SI1471DH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.8 A, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363 (SC-70)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,5 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
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P
Maximum Continuous Drain Current
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363 (SC-70)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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