MOSFET Vishay SI1403CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,6 A, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 787-9125PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1403CDL-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-70)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

222 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

600 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1.4 nC @ 4.5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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P

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Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-70)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

222 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

600 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1.4 nC @ 4.5 V

Ancho

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