MOSFET Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 655-6795Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1302DL-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

480 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,86 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Material del transistor

Si

Ancho

1.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 553,35

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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100 - 490$ 349$ 3.490
500 - 990$ 326$ 3.260
1000 - 2490$ 256$ 2.560
2500+$ 219$ 2.190

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Mejora

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1V

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Single

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Temperatura de Funcionamiento Máxima

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Si

Ancho

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