MOSFET Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 655-6795Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1302DL-T1-E3
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

480 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,86 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Material del transistor

Si

Profundidad

1.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 465

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 553,35

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 4.650
20$ 9.300
30$ 13.950
40$ 18.600
50$ 23.250
60$ 27.900
70$ 32.550
80$ 37.200
90$ 41.850
100$ 34.900
110$ 38.390
120$ 41.880
130$ 45.370
140$ 48.860
150$ 52.350

$ 465

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 553,35

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 4.650
20$ 9.300
30$ 13.950
40$ 18.600
50$ 23.250
60$ 27.900
70$ 32.550
80$ 37.200
90$ 41.850
100$ 34.900
110$ 38.390
120$ 41.880
130$ 45.370
140$ 48.860
150$ 52.350

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 465$ 4.650
100 - 490$ 349$ 3.490
500 - 990$ 326$ 3.260
1000 - 2490$ 256$ 2.560
2500+$ 219$ 2.190

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

480 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,86 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Material del transistor

Si

Profundidad

1.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más