MOSFET Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, SC-89-6 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3050Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1077X-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

760 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

244 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

236 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Material del transistor

Si

Anchura

1.2mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,43 nC a 4,5 V

Longitud

1.7mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.6mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.260

$ 113 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 2.689

$ 134,47 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
20 - 280$ 113$ 2.260
300 - 580$ 109$ 2.180
600 - 1480$ 107$ 2.140
1500 - 2980$ 102$ 2.040
3000+$ 99$ 1.980

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Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

760 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

244 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

236 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Material del transistor

Si

Anchura

1.2mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,43 nC a 4,5 V

Longitud

1.7mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.6mm

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