Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
760 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
244 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
236 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Anchura
1.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,43 nC a 4,5 V
Longitud
1.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 2.260
$ 113 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 2.689
$ 134,47 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
20
$ 2.260
$ 113 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 2.689
$ 134,47 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 20 - 280 | $ 113 | $ 2.260 |
| 300 - 580 | $ 109 | $ 2.180 |
| 600 - 1480 | $ 107 | $ 2.140 |
| 1500 - 2980 | $ 102 | $ 2.040 |
| 3000+ | $ 99 | $ 1.980 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
760 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
244 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
236 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Anchura
1.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,43 nC a 4,5 V
Longitud
1.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto


