MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9055Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1029X-T1-GE3
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

190 mA, 300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.6mm

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 539

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 641,41

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 10.780
40$ 21.560
60$ 32.340
80$ 43.120
100$ 53.900
120$ 64.680
140$ 75.460
160$ 86.240
180$ 97.020
200$ 101.400
220$ 111.540
240$ 121.680
260$ 131.820
280$ 141.960
300$ 152.100

$ 539

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 641,41

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 10.780
40$ 21.560
60$ 32.340
80$ 43.120
100$ 53.900
120$ 64.680
140$ 75.460
160$ 86.240
180$ 97.020
200$ 101.400
220$ 111.540
240$ 121.680
260$ 131.820
280$ 141.960
300$ 152.100

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 180$ 539$ 10.780
200 - 480$ 507$ 10.140
500 - 980$ 459$ 9.180
1000 - 1980$ 431$ 8.620
2000+$ 405$ 8.100

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

190 mA, 300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω, 8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V

Profundidad

1.7mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.6mm

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more