Condensador de película Vishay, 2.2μF, ±10%, 160 V ac, 250 V dc, Montaje en orificio pasante
Documentos Técnicos
Datos del producto
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Empaque de Producción (Bolsa)
5
P.O.A.
Empaque de Producción (Bolsa)
5
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Datos del producto
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos