Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.29mm
Material del transistor
Si
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Tubo)
5
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.29mm
Material del transistor
Si
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


