MOSFET Vishay IRLD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 301-338PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRLD110PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,1 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

6.29mm

Material del transistor

Si

Altura

3.37mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRLD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple
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Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,1 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

6.29mm

Material del transistor

Si

Altura

3.37mm

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