Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 12.360
$ 1.236 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 14.708
$ 1.470,84 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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VishayTipo de Canal
P
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


