MOSFET Vishay IRFR9120TRPBF, VDSS 100 V, ID 5,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 316
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 376,04
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
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Mejora
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud:
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Altura
2.38mm
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