MOSFET Vishay IRFR9020TRPBF, VDSS 50 V, ID 9,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,4 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 991
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 1.179,29
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,4 nC a 10 V
Ancho
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Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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