MOSFET Vishay IRFR9010TRPBF, VDSS 50 V, ID 5,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-0638PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFR9010TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

25000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,1 nC a 10 V

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.38mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRFR9010TRPBF, VDSS 50 V, ID 5,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
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P

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

25000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,1 nC a 10 V

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.38mm

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