MOSFET Vishay IRFR210TRPBF, VDSS 200 V, ID 2,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 266
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 316,54
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
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Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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