Trans.canal N MOSFET,IRFR110 4.3A 100V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Ancho
6.22mm
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Ancho
6.22mm