MOSFET Vishay IRFR020TRPBF, VDSS 60 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
42000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products