MOSFET Vishay IRFR014PBF, VDSS 60 V, ID 7,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.38mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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| 125 - 245 | $ 1.365 | $ 6.825 |
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N
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
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Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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