Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Anchura
5.31mm
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
$ 8.096
$ 8.096 Each (Sin IVA)
$ 9.634
$ 9.634 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 8.096
$ 8.096 Each (Sin IVA)
$ 9.634
$ 9.634 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 8.096 |
| 10 - 49 | $ 7.765 |
| 50 - 99 | $ 7.292 |
| 100 - 249 | $ 6.473 |
| 250+ | $ 6.080 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Anchura
5.31mm
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto



