Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Serie
D Series
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
278 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
20.82mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Serie
D Series
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
278 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
20.82mm
Datos del producto