MOSFET Vishay IRFP460BPBF, VDSS 500 V, ID 20 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9140Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFP460BPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Serie

D Series

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

278 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5.31mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

20.82mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 4.164

Each (Sin IVA)

$ 4.955

Each (IVA Incluido)

MOSFET Vishay IRFP460BPBF, VDSS 500 V, ID 20 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 4.164
2$ 8.328
3$ 12.492
4$ 16.656
5$ 20.820
6$ 24.984
7$ 29.148
8$ 33.312
9$ 37.476
10$ 40.470
11$ 44.517
12$ 48.564
13$ 52.611
14$ 56.658
15$ 60.705

$ 4.164

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1

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2$ 8.328
3$ 12.492
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5$ 20.820
6$ 24.984
7$ 29.148
8$ 33.312
9$ 37.476
10$ 40.470
11$ 44.517
12$ 48.564
13$ 52.611
14$ 56.658
15$ 60.705

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 4.164
10 - 49$ 4.047
50 - 99$ 3.915
100 - 249$ 3.755
250+$ 3.579

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N

Maximum Continuous Drain Current

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TO-247AC

Serie

D Series

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

278 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

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1

Profundidad

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