Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Serie
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
278 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 3.837
Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
$ 4.566,03
Each (In a Tube of 25) (IVA Incluido)
25
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Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
25 - 25 | $ 3.837 | $ 95.925 |
50 - 100 | $ 3.607 | $ 90.175 |
125+ | $ 3.261 | $ 81.525 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Serie
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
278 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto