Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
370000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 8.033
Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
$ 9.559,27
Each (In a Tube of 25) (IVA Incluido)
25
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$ 9.559,27
Each (In a Tube of 25) (IVA Incluido)
25
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
25 - 25 | $ 8.033 | $ 200.825 |
50 - 100 | $ 7.550 | $ 188.750 |
125+ | $ 6.827 | $ 170.675 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
370000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto