Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.360
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 1.618,40
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 1.618,40
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 1.360 | $ 68.000 |
100 - 200 | $ 1.292 | $ 64.600 |
250+ | $ 1.224 | $ 61.200 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto