Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.774
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 3.301,06
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 3.301,06
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 2.774 | $ 138.700 |
100 - 200 | $ 2.192 | $ 109.600 |
250+ | $ 1.942 | $ 97.100 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto