MOSFET Vishay IRFI9634GPBF, VDSS 250 V, ID 4,1 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.333
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.776,27
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.333 | $ 116.650 |
| 100 - 200 | $ 1.984 | $ 99.200 |
| 250+ | $ 1.867 | $ 93.350 |
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TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Operación
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