Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 530
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 630,70
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 630,70
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto