Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
9.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 548
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 652,12
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
$ 548
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$ 652,12
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
9.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto