Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 2.019
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.402,61
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
$ 2.019
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.402,61
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 2.019 | $ 100.950 |
100 - 200 | $ 1.918 | $ 95.900 |
250+ | $ 1.817 | $ 90.850 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto