Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 587
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 698,53
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 587 | $ 29.350 |
100 - 200 | $ 558 | $ 27.900 |
250+ | $ 529 | $ 26.450 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto