MOSFET Vishay IRFD9120PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
3.37mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.796
$ 1.796 Each (Sin IVA)
$ 2.137
$ 2.137 Each (IVA Inc.)
1
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 1.796 |
| 10 - 49 | $ 1.701 |
| 50 - 99 | $ 1.638 |
| 100 - 249 | $ 1.544 |
| 250+ | $ 1.496 |
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Tipo de Montaje
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Número de pines
4
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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1.3 W
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-20 V, +20 V
Anchura
6.29mm
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Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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