MOSFET Vishay IRFD9010PBF, VDSS 60 V, ID 1,1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

Código de producto RS: 903-4702Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFD9010PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

4

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Configuración de transistor

Single

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

3.8mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

3.8mm

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRFD9010PBF, VDSS 60 V, ID 1,1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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HVMDIP

Tipo de Montaje

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Número de pines

4

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Configuración de transistor

Single

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

3.8mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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