MOSFET Vishay IRFD320PBF, VDSS 400 V, ID 490 mA, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
490 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.29mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
3.37mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Tipo de montaje
Through Hole
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4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
3.37mm
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