Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.29mm
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
$ 95.800
$ 958 Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
$ 114.002
$ 1.140,02 Each (In a Tube of 100) (IVA Inc.)
100
$ 95.800
$ 958 Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
$ 114.002
$ 1.140,02 Each (In a Tube of 100) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
100
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 100 - 100 | $ 958 | $ 95.800 |
| 200 - 400 | $ 901 | $ 90.100 |
| 500+ | $ 814 | $ 81.400 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.29mm
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto


