MOSFET Vishay IRFD120PBF, VDSS 100 V, ID 1,3 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-0921Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFD120PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

6.29mm

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

3.37mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 95.800

$ 958 Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)

$ 114.002

$ 1.140,02 Each (In a Tube of 100) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
100 - 100$ 958$ 95.800
200 - 400$ 901$ 90.100
500+$ 814$ 81.400

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

6.29mm

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

3.37mm

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