MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 541-1039PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFD110PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,3 nC a 10 V

Anchura

6.29mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

3.37mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

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Empaque de Producción (Cinta)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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