MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5mm
Profundidad
6.29mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.958
Each (Sin IVA)
$ 2.330
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 1.958 |
| 10 - 49 | $ 1.578 |
| 50 - 99 | $ 1.476 |
| 100 - 249 | $ 1.373 |
| 250+ | $ 1.300 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5mm
Profundidad
6.29mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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