Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 3.198
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 3.805,62
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 3.198 | $ 159.900 |
100 - 200 | $ 2.719 | $ 135.950 |
250+ | $ 2.560 | $ 128.000 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto